本公司所完成的"65nm及以下集成电路关键抛光材料铜、铜阻挡层抛光液研究与产业化"为新材料领域内项目，属于电子加工专用辅助材料、特种功能材料等学科。我们研发的产品铜抛光液(C4、U3000等)、铜阻挡层抛光液(H4、H6P等)产品主要应用于集成电路制造CMP铜及铜阻挡层抛光过程中，目前产品已经进入国内外多家45nm技术节点生产线使用，是国内唯一一家进入12英寸生产线的铜及铜阻挡层抛光液产品。 化学机械抛光(CMP)技术是目前集成电路(IC)工业应用唯一的全局平坦化技术，占集成电路生产工艺总成本的第二位。我国已经成为国际上重要的集成电路生产基地，自主研发各类高端集成电路抛光材料，对完善我国本土半导体产业链，减低本土集成电路制造企业成本，提高国家产业安全具有重要意义。 CMP抛光液一般由磨料和各种载体助剂组成。载体助剂一般具有促进抛光、调节选择比、抑制腐蚀、控制表面形貌等作用。在铜及铜阻挡层抛光液的研究中，我们创新性点有：1、采用了具有亲水基团(如羧基、磺酸基或羟基等基团)的改性唑类氮杂环化合物作为抛光液的抑制剂，这能够改变在铜表面所形成的钝化膜的结构，从而改善了抑制剂成膜的硬度，实现在分子层面上对铜化学机械抛光性能进行设计；2、采用具有双官能团X-R-Y的抑制剂，该双官能团试剂上的一个官能团与抛光衬底作用在衬底表面形成一层保护膜，另一官能团与研磨颗粒发生亲和作用并辅助研磨颗粒除膜，实现了在地压下较好的抛光效果；3、采用传统抑制剂与缓蚀剂(丙烯酸及其共聚物缓蚀剂、有机膦缓蚀剂等)复配的协同作用来调整表面形貌和表面缺陷，实现了对金属和介质材料进行完全保护，并根据不同的复配成膜剂来调整金属去除对氧化剂浓度的敏感程度，实现在线的调控；4、采用分子骨架上接枝上具有特殊功能的官能团(如羧基、氨基、酰氨基或脂肪链等)的抑制剂，来消除金属腐蚀和介质材料侵蚀。 我们研发抛光液具有在低压下具有高平坦化效率、高抛光速率、低缺陷、能够控制局部或整体腐蚀，解决铜在常温和抛光温度下的静态腐蚀率较高的问题，过抛时具有自停止功能：碟型凹陷随过抛时间增长慢，过抛窗口宽、低成本等特点，产品可覆盖国内全部铜制程，较好的满足不同芯片制造商间存在的不同的工艺要求。 项目实施过程中，申请发明专利近40项，其中已授权专利11项。其研发的产品填补了国内该领域的空白，产品已经通过中芯国际(SMIC)、武汉新芯等国内多家集成电路企业的测试论证，进入其生产线使用，自2009年累计实现销售额1.2亿元。降低了国内集成电路制造企业的生产成本，提高了其市场竞争力。