本发明涉及一种碳化硅纳米线的制备方法领域。本发明所述的碳化硅纳米线的制备方法如 下：将不含氧的碳硅烷置于刚玉坩埚或刚玉舟 内，将刚玉坩埚或刚玉舟放在耐高温板上面， 然后把耐高温板推入高温炉，排出炉内氧气，并以6 — 15sccm的速率通入惰性气体保护， 以5 — 15°C/min的速度将炉温升到1000 — 1100°C，保温1一 3小时后自然降到室温。由 本发明所述的碳化硅纳米线的制备方法所得产 物均为碳化硅纳米线，长度比现有的方法制备的碳化硅纳米线提高了 2个量级，且制备方法 简单，原料便宜易得，设备要求简化，成本低。