1.适用范围

 新能源汽车。

2.核心技术及工艺

 以晶圆为材料，通过结构外延生长、干法刻蚀、制作碳膜、高温氧化等工艺来制备SiC 芯片。通过优化芯片结构，增强电流密度，形成高可靠性栅介质；采用超声波金属焊接工艺和粗铜线键合工艺，提高端子焊点抗疲劳寿命和连接可靠性；通过端子键合、双面散热、纳米银烧结等互连技术实现SiC 一体化水冷封装。

3.主要技术参数

 SiC MOSFET 芯片：击穿电压≥1200V、导通电阻≤25mΩ，最高工作结温≥200℃。SiC 功率模块：击穿电压≥1200V、导通电流≥400A，最高工作结温≥200℃。

4.综合效益

 新能源汽车电机控制器系统效率99%。促进太阳能，风能等可再生能源发展，减少温室气体及有害气体排放。