*技术/项目介绍(背景、现状、特点等)：氧化铍陶瓷具有高熔点，抗热冲击性能，其热导率与铜、银相似，并兼有极好地电绝缘特性，在常温下，热导率约为氧化铝陶　瓷二十倍，在电子产品器件的发热是器件使用寿命和质量至命点，而氧化铍陶瓷，由于它有理想导热率，有利用提高器件使用寿命　和质量，有利于器件向微型化发展。提高器件功率，因此，可以广泛应用于航天航空，核动力，冶金工程，电子工业，火箭制造等　等。  

*主要技术指标：关于氧化铍毒性，它是指可溶性氧化铍有毒，对于我们使用氧化铍陶瓷是经过1650～1700℃烧结，使一种成瓷材料，它是不溶　于酸，碱，因此，使用氧化铍陶瓷(只要通过适当的防护)是没有毒的。    　　　氧化铍陶瓷性能    　项目 　测试条件 　计量单位及符号 　指标    　体积密度   　g/cm 3 　≥2.85    　氧化铍含量   　% 　≥99    　气密性     　通过    　透液性     　通过    　抗折强度   　MPa 　≥140    　抗热震性     　通过    　线膨胀系数 　20℃-500℃ 　×10 -4 /℃ 　7-8.5    　导热系数 　40℃ 　W/m·k 　≥250    　分电常数 　1MHz 20℃   　6.5-7.5      　10GHz 20℃   　6.5-7.5    　介质损耗角正切值 　1MHz 20℃ 　×10 -4 　≤4      　10GHz 20℃ 　×10 -4 　≤8    　体积电阻率 　100℃ 　ΩNaN 　≥10 13      　300℃ 　ΩNaN 　≥10 10    　击身强度 　DC 　KV/mm 　≥15    　化学稳定性 　1:9HCl 　ug/cm 2 　≤0.3      　10% NaOH 　ug/cm 2 　≤0.2    　　　产品质量证明书    　项目  　测试条件 　计量单位和符号 　指标    　氧化铍(Be0)    　≥99.0    　体积密度 　Volurne density  　g/㎝3  　≥2.85    　气密性    　通过    　透液性    　通过    　抗折强度 　Flexural strength  　Mpa  　≥170    　线膨胀系数 　Coeffici of expansion 　25℃-500℃ 　X106 /℃ 　7-8.5    　

导热系数 　Thermal conductivity 　25℃ 　W/m.k 　≥250    　100℃ 　W/m.k 　≥190    　

介电常数 　Permittivity 　1MHz.20℃ < 　6.5-7.5    　10GHz.20℃  　6.5-7.5    　

介质损耗角正切值 　Loss tangrnt 　1MHz.20℃ 　X10-4 　≤4    　10GHz.20℃ 　X10-4 　≤8    　体积点阻率 　Voiume resistivity 　25℃ 　ΩNaN 　≥1014    　300℃ 　ΩNaN 　≥1011    　击穿强度 　Puncture strength  　KV/mm(D，C)  　≥25    

　化学稳定性 　Chemical durability 　1:9HCL 　Mg/cm3 　≤0.3    　10%NaoH 　Mg/cm3 　≤0.2  

*目前应用情况：在电子产品器件的发热是器件使用寿命和质量至命点，而氧化铍陶瓷，由于它有理想导热率，有利用提高器件使用寿命　和质量，有利于器件向微型化发展。提高器件功率，因此，可以广泛应用于航天航空，核动力，冶金工程，电子工业，火箭制造等　等。  

*“民参军”或“军转民”的应用前景  ：提高器件功率，因此，可以广泛应用于航天航空，核动力，冶金工程，电子工业，火箭制造等　等。